Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs contrôlés en tension, tandis que les transistors sont des dispositifs contrôlés en courant. Les FET doivent être choisis lorsque seule une faible consommation de courant de la source de signal est autorisée ; à l'inverse, les transistors doivent être choisis lorsque la tension du signal est faible mais qu'une consommation de courant plus importante est autorisée. Les FET fonctionnent en utilisant des porteurs majoritaires, c'est pourquoi ils sont appelés dispositifs unipolaires, tandis que les transistors conduisent en utilisant à la fois des porteurs majoritaires et minoritaires, d'où leur nom de dispositifs bipolaires.
Certains FET ont des bornes de source et de drain interchangeables, et leur tension de grille peut être positive ou négative, offrant une plus grande flexibilité que les transistors.
Les FET peuvent fonctionner dans des conditions de courant et de tension très faibles, et leurs processus de fabrication permettent une intégration facile de nombreux FET sur une seule puce de silicium. Par conséquent, les FET sont largement utilisés dans les circuits intégrés-à grande échelle.
