Paramètres CC
Courant de drain de saturation (IDSS) : défini comme le courant de drain lorsque la tension de grille-source est nulle, mais que la tension de drain-source est supérieure à la tension de pincement-tension de coupure.
Tension de pincement-(UP) : définie comme l'UGS nécessaire pour réduire l'ID à un très faible courant lorsque l'UDS est constant.
Take-Tension de décollage (UT) : définie comme l'UGS requis pour amener l'ID à une certaine valeur lorsque l'UDS est constant.
Paramètres CA
Les paramètres CA peuvent être divisés en deux catégories : la résistance de sortie et la transconductance basse-fréquence. La résistance de sortie est généralement comprise entre des dizaines et des centaines de kilohms, tandis que la transconductance basse fréquence - est généralement comprise entre quelques dixièmes et quelques millisieverts, certaines atteignant 100 ms ou même plus.
Transconductance basse-fréquence (gm) : décrit l'effet de contrôle de la tension source de grille-sur le courant de drain.
Capacité inter-électrode : capacité entre les trois électrodes d'un MOSFET. Une valeur plus petite indique de meilleures performances du transistor.
Paramètres limitants
① Courant de drain maximum : la limite supérieure du courant de drain autorisé pendant le fonctionnement normal du transistor.
② Dissipation de puissance maximale : puissance dans le transistor, limitée par la température de fonctionnement maximale du transistor.
③ Tension de drain-source maximale : tension à laquelle le claquage par avalanche se produit, lorsque le courant de drain commence à augmenter fortement.
④ Tension maximale grille-source : tension à laquelle le courant inverse entre la grille et la source commence à augmenter fortement.
En plus des paramètres ci-dessus, il existe d'autres paramètres tels que la capacité inter-électrode et les paramètres haute-fréquence.
Tension de claquage drain et source : lorsque le courant de drain augmente fortement, l'UDS (demande supérieure) se produit lors du claquage par avalanche.
Tension de claquage de grille : pendant le fonctionnement normal d'un transistor à effet de champ de jonction-(JFET), la jonction PN entre la grille et la source est polarisée en inverse-. Si le courant est trop élevé, une panne se produira.
Les principaux paramètres sur lesquels se concentrer lors de l’utilisation sont :
1. IDSS-Drain de saturation-courant source. Il s'agit du courant de drain-source dans un transistor à effet de champ de grille isolé de type jonction ou à appauvrissement--- lorsque la tension de grille UGS=0.
2. UP-Pinch-tension de coupure. 3. **UT-Tension de prise- :** La tension de grille à laquelle la jonction drain-source est juste désactivée dans un transistor à effet de type jonction-ou à déplétion-isolé-champ de grille-transistor (IGFET).
4. gM-Transconductance : représente la capacité de contrôle de la tension de source de grille-UGS sur l'ID de courant de drain, c'est-à-dire le rapport entre la modification de l'ID de courant de drain et la modification de la tension de source de grille-UGS. gM est un paramètre important pour mesurer la capacité d'amplification d'un IGFET.
5. BUDS-Drain-Tension de claquage de source : la tension de drain-source maximale que l'IGFET peut supporter en fonctionnement normal lorsque la tension de grille-source UGS est constante. Il s'agit d'un paramètre limitant ; la tension de fonctionnement appliquée à l'IGFET doit être inférieure à BUDS.
6.PDSM-Dissipation de puissance maximale : également un paramètre limitant, il fait référence à la dissipation de puissance maximale autorisée-de la source sans dégrader les performances de l'IGFET. En utilisation, la consommation électrique réelle de l'IGFET doit être inférieure à celle du PDSM avec une certaine marge. 7. **IDSM-Drain maximum-Courant source :** L'IDSM est un paramètre limitant qui fait référence au courant maximum autorisé à passer entre le drain et la source d'un-transistor à effet de champ (FET) pendant le fonctionnement normal. Le courant de fonctionnement du FET ne doit pas dépasser IDSM.
