un. Par matériau : transistors au silicium, transistors au germanium
b. Par structure : NPN, PNP. (Voir Figure 2)
c. Par fonction : Transistors de commutation, transistors de puissance, transistors Darlington, phototransistors, etc.
d. Par puissance : transistors de faible-puissance, transistors de puissance-moyenne, transistors de-puissance élevée
e. Par fréquence de fonctionnement : transistors basse-fréquence, transistors haute-fréquence, transistors d'overclocking
f. Par structure et procédé de fabrication : transistors en alliage, transistors planaires
g. Par méthode de montage : transistors traversants-, transistors à montage en surface-
Paramètres du produit
Fréquence caractéristique : Lorsque f=fT, le transistor perd complètement sa fonction d'amplification de courant. Si la fréquence de fonctionnement est supérieure à fT, le circuit ne fonctionnera pas correctement.
fT est appelé le produit de gain-bande passante, c'est-à-dire fT=fo. Si la fréquence de fonctionnement actuelle fo et le facteur d'amplification du courant haute fréquence du transistor sont connus, la fréquence caractéristique fT peut être obtenue. À mesure que la fréquence de fonctionnement augmente, le facteur d'amplification diminue. fT peut également être défini comme la fréquence à laquelle=1.
Tension et courant : ce paramètre peut être utilisé pour spécifier la plage de fonctionnement en tension et en courant du transistor.
hFE : Facteur d’amplification du courant.
VCEO : tension de claquage inverse du collecteur-émetteur, représentant la tension de saturation à saturation critique.
PCM : Dissipation de puissance maximale admissible.
Package : Spécifie la forme physique du transistor. Si tous les autres paramètres sont corrects, un boîtier différent empêchera l'implémentation du composant sur le circuit imprimé.
