Un transistor à jonction bipolaire (BJT) est un dispositif semi-conducteur à trois-terminaux composé de deux jonctions PN formées par les régions émetteur, base et collecteur. Sur la base de la disposition des jonctions PN, il est classé en types NPN et PNP. Inventé le 23 décembre 1947 par les Drs. Bardeen, Brighton et Shockley aux Bell Labs, son principe de base est de réaliser une amplification en contrôlant une variation plus importante du courant du collecteur grâce à une petite modification du courant de base. La concentration de dopage interne varie considérablement : la région émettrice est fortement dopée, la région de base est la plus fine et la moins dopée, et la région collectrice est la plus grande et modérément dopée.
Les BJT fonctionnent selon trois modes : coupure, amplification et saturation. Les paramètres clés incluent le facteur d'amplification du courant (hFE), la fréquence caractéristique fT et la tension de claquage du collecteur-émetteur BUCEO. Les BJT modernes sont principalement constitués de silicium et le courant du collecteur est modifié en contrôlant la tension base-émetteur pour modifier la diffusion des porteurs dans la jonction de l'émetteur. En tant que composant fondamental des circuits électroniques, les transistors possèdent des fonctions d’amplification du signal et de commutation électronique. Ils peuvent être utilisés pour construire des amplificateurs pour piloter des haut-parleurs et des moteurs, ou comme éléments de commutation dans des circuits numériques et des commandes logiques. Les applications typiques incluent l'amplification de puissance basse-fréquence/haute-fréquence et les conceptions de transistors composites.
